光(guāng)伏發(fà)電(diàn)的(de)主(zhǔ)要(yào)原理是(shì)半導體(tǐ)的(de)光(guāng)電(diàn)效應(yìng)。光(guāng)子照射到(dào)金(jīn)屬上时(shí)，它(tā)的(de)能(néng)量(liàng)可(kě)以(yǐ)被(bèi)金(jīn)屬中(zhōng)某个(gè)電(diàn)子全(quán)部(bù)吸收(shōu)，電(diàn)子吸收(shōu)的(de)能(néng)量(liàng)足夠大(dà)，能(néng)克(kè)服(fú)金(jīn)屬原子內(nèi)部(bù)的(de)庫侖力做功，離開(kāi)金(jīn)屬表(biǎo)面(miàn)逃逸出来，成(chéng)为光(guāng)電(diàn)子。矽原子有(yǒu)4个(gè)外(wài)层(céng)電(diàn)子，如(rú)果(guǒ)在純矽中(zhōng)摻入(rù)有(yǒu)5个(gè)外(wài)层(céng)電(diàn)子的(de)原子如(rú)磷原子，就(jiù)成(chéng)为N型半導體(tǐ)；若在純矽中(zhōng)摻入(rù)有(yǒu)3个(gè)外(wài)层(céng)電(diàn)子的(de)原子如(rú)硼原子，形成(chéng)P型半導體(tǐ)。當P型和(hé)N型結合在一起(qǐ)时(shí)，接触面(miàn)就(jiù)会(huì)形成(chéng)電(diàn)勢差，成(chéng)为太陽能(néng)電(diàn)池。當太陽光(guāng)照射到(dào)P－N結後(hòu)，電(diàn)流便从P型一邊(biān)流向N型一邊(biān)，形成(chéng)電(diàn)流。
